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项目名称
硅片边缘氧化膜腐蚀用设备
所属单位
天津中环半导体股份有限公司
项目简介
一种硅片边缘氧化膜腐蚀用设备,一种硅片边缘氧化膜腐蚀用设备,其特征在于:包括主体框架,在所述主体框架内部对称分布有第一工作区和第二工作区,所述第一工作区和第二工作区均包括依次设置的上料区、腐蚀区和下料机构;所述上料区、腐蚀区和下料机构上方设有硅片腐蚀搬运系统;所述上料区包括上料机构和硅片暂存台,还包括搬运定心系统,为第一工作区和第二工作区的共用机构,所述搬运定心系统设置在两个上料区中间;所述腐蚀区包括依次设置的酸槽和纯水槽。
项目优势
硅片边缘氧化膜腐蚀用设备可实现边缘氧化膜腐蚀的全自动运行,产能相比进口设备提高21%,精度由进口设备的±0.3mm提高到±0.2mm。
市场与应用